IR코리아, 200W 컨버터 전력 손실을 10% 감소시키는
80V 및 100V DirectFET™ MOSFET 2종 출시

(2005년 10월 12일, 서울) - 전력용 반도체 분야의 리더인 인터내셔날 렉티파이어 코리아 (International Rectifier: IR 코리아. 대표 허기병)는 네트워킹 및 통신 시스템에서 주로 사용되는 미디움 전력 200W DC-DC 버스 컨버터 애플리케이션의 “고성능 SO-8” 소자와 비교해 시스템 레벨의 전력 손실을 10%까지 감소시키는 DirectFET™ 파워 MOSFET 2종을 출시했다. IRF6668 80V 및 IRF6662 100V DirectFET MOSFET은 낮은 동작저항과 게이트전하의 결합으로 고효율 절연형 DC-DC 버스 컨버터를 위한 1차 측의 전력 스위치에 이상적이다.

IR IR코리아 허기병 대표는 “절연형 DC-DC 버스 컨버터는 고성능 네트워킹 및 통신 시스템에 사용되고 있는 오늘날의 ASIC, NPU 및 FPGA를 구동시킨다. IRF6668 및 IRF6662는 IR의 저전압 DirectFET MOSFET 및 DC 버스 컨버터 컨트롤 IC로 이용될 수 있어 미디움-파워 절연형 버스 컨버터를 위해 완벽하고 최적화된 칩 셋 솔루션을 개발할 수 있다”고 말했다.

IRF6662 또는 IRF6668이 조정되지 않은 48V 입력, 8V 출력의 1차 측에서 사용될 경우, 97W/in2 의 전력 밀도인 200W 절연형 컨버터는 추가적으로 15%가 증가될 수 있다. 이는 히트 싱크(heat sink)가 추가되면서 DirectFET MOSFET 패키징 기술이 갖는 양방향 측면 쿨링 기능의 장점을 이용할 수 있게 한다.

100V IRF6662는 고성능 SO-8 MOSFET와 비교해 디바이스 온저항이 4% 감소한다. 또한 36-75V 입력, 8V 출력, 200W, 220kHz 하프브리지 (Half-bridge) DC 버스 컨버터에서 고성능 SO-8 소자 대비 결합형 동작저항과 게이트전하의 조합인 성능지수(performance figure-of-merit)가 30% 향상된 것을 특징으로 한다.

80V IRF6668은 동작저항이 10% 향상되고 총 게이트전하가 30% 향상되어, 이를 통해 고성능 SO-8 MOSFET와 비교해 동작저항과 게이트전하의 조합인 성능지수(performance figure-of-merit)가 40% 향상되었다. 또한 48V 입력, 8V 출력, 200W, 220kHz 하프-브리지 DC 버스 컨버터에서 10% 추가적인 출력 전류를 가능하게 한다.

DirectFET MOSFET은 IR2085S와 함께 하프-브리지 DC 버스 방식 또는 IR2086S의 풀-브리지 DC 버스 방식에서 이용될 수 있다. 또한 완벽한 고효율 솔루션을 위한 IRF6635와 같은 2차 측면 저전압 DirectFET MOSFET 제품들과 연결된다.

독자적인 DirectFET™ 패키징 기술

IR사의 독자적인 DirectFET MOSFET 패키지는 종전의 어떤 표준 플라스틱 개별 패키지도 제공하지 못했던 완전히 새로운 설계상의 장점을 제공한다. 금속 캔 구조에 의한 양면냉각 방식으로 첨단 마이크로프로세서에 전력을 공급하는 고주파 DC-DC 버크컨버터의 전류처리용량을 효과적으로 배가할 수 있게 되었다. 또한 DirectFET 패키지 소자들은 RoHS (Restriction of Hazardous Substances Directive)를 준수한다.

디자인 툴 및 애플리케이션 노트
AN-1035 –DirectFET™ MOSFET용 보드 마운팅 가이드라인
AN-1050 –DirectFET™ MOSFET용 소재 & 실행
AN-1059 –DirectFET™ MOSFET용 온도 모델링 및 특성화

DirectFET™ 온라인 디스커버리 센터는 설계자들에게 DirectFET 소자가 가진 독특한 장점의 이용 방법과 전기 및 온도를 증가시키는 방법에 대한 보다 깊은 이해를 설계자들에게 제공한다.

100V IRF6662 와 80V IRF6668 DirectFET™ MOSFET은 지금 즉시 구입 가능하다.

인터내셔날 렉티파이어(IR, www.irf.com)는?

세계적 전력용 반도체 분야의 선두 주자인 IR은 고성능 컴퓨팅 작업과 전기를 가장 많이 소모하는 제품군인 모터의 전력 낭비를 줄여주는 아날로그 및 혼합 시그널 IC, 고성능 회로 부품, 집적된 전력 시스템과 부품들을 생산, 공급한다. 자동화, 제어, 자동차의 전기시스템, 가전제품, 컴퓨터와 주변장치, 통신장비, 조명장치, 그리고 항공/우주 산업 분야 등 모든 형태의 전기/전자 장비를 생산하는 세계적인 기업들은 차세대 제품을 생산하는데 있어 IR이 벤치마킹한 전력관리 제품에 의존하고 있다. 1947년에 설립된 IR은 미국 로스앤젤레스에 본사를 두고 있으며, 아시아 지역에서는 한국을 비롯해 중국, 홍콩, 대만, 싱가폴, 인도, 호주, 그리고 필리핀등에서 영업을 하고 있다. IR은 전세계 5,500명의 직원이 있으며, 미국, 영국, 멕시코 및 이탈리아에 제조 공장이 있다. 한국지사는 1993년 설립되었으며, 영업, 기술, 고객관리등의 분야에서 활발한 사업을 벌이고 있다.