IR, 최고 50% 풋프린트 감소시키는 DC-DC 벅 컨버터용
30V-Direct MOSFET 칩셋 출시

(2006년 7월 24일, 서울) V 전력 관리 기술분야의 세계적인 선두업체인 IR은 IRF6631 컨트롤 MOSFET과 IRF6638 동기식 MOSFET으로 구성된 새로운 30V 동기식 벅 컨버터 칩셋을 출시했다. 이 칩셋은 더블-사이드 쿨링 (double-sided cooling)을 이용한 IR의 벤치마크 DirectFET® 패키징과 최신형 HEXFET® MOSFET 기술이 결합되어 중간 전류 레벨 (18 A 미만)에서 더 높은 수준의 효율과 온도 성능을 실현시킨다. 애플리케이션에는 고성능 노트북 및 데스크탑 컴퓨터, 통신, 데이터콤과 소형에 고효율성 및 향상된 온도 전도로 인해 전력 밀도를 증가시키는 범용 동기식 벅 설계가 포함된다.

IR의 휴대형 컴퓨팅 솔루션 담당 제프 세르만 (Jeff Sherman) 수석 마케팅 매니저는 새로운 DirectFET 칩셋은 설계자들이 15 ~ 16 A 전력 컨버터 애플리케이션의 중간 범위에서 소형의 효율성이 높은 스위칭을 찾을 때 만족스런 선택을 제공한다. 5 ~ 8 A 범위에서 1% 이상까지 효율성을 향상시키는 것 이외에, 3개의 SO-8 디바이스를 사용하는 일반적인 접근방식과 비교해서 보드 공간 절약은 거의 50%가 실현된다라고 말했다.

각 디바이스들은 동기식 DC-DC 벅 컨버터 회로내에서 성능을 최대화할 수 있도록 고안되었다. IRF6631 DirectFET 컨트롤 MOSFET은 스위칭 손실을 감소시키는 반면, IRF6638 DirectFET 동기식 MOSFET은 전도 손실 및 역-복구 충전을 줄여준다.

IRF6631 제어 FET는 12nC의 게이트 충전의 특징이 있으며 기존 제품 대비 온 저항-게이트 충전값(99.6 mOhmsnC)의 16% 감소를 실현시킨다. IRF6638 동기식 FET는 4.5V에서 온-스테이트 저항을 3.0m[으로 구현하며, 이는 기존 디바이스 대비 12%가 감소된 반면 동일 게이트 충전은 유지시킨다.

특허 받은 DirectFET 패키징 기술
인터내서널 렉티파이어의 특허형 DirectFET MOSFET 패키지는 기존의 표준 플라스틱 디스크리트 패키지로 구현되는 것이 아니라 새로운 설계 세트의 장점을 보여준다. 메탈 캔 구조는 고성능 마이크로프로세서를 구동시키는 고주파수 DC-DC 벅 컨버터의 용량을 조절하는 전류를 효율적으로 두 배로 만드는 듀얼-사이드 쿨링 (dual-side cooling)을 가능하게 한다. 또한 DirectFET 패키지에서 디바이스는 RoHS (Restriction of Hazardous Substances Directive)를 준수한다.

인터내셔날 렉티파이어(IR, www.irf.com)는?
세계적 전력용 반도체 분야의 선두 주자인 IR은 고성능 컴퓨팅 작업과 전기를 가장 많이 소모하는 제품군인 모터의 전력 낭비를 줄여주는 디지털, 아날로그 및 혼합 시그널 IC, 고성능 회로 부품, 집적된 전력 시스템과 부품들을 생산, 공급한다. 자동화, 제어, 자동차의 전기시스템, 가전제품, 컴퓨터와 주변장치, 통신장비, 조명장치, 그리고 항공/우주 산업 분야 등 모든 형태의 전기/전자 장비를 생산하는 세계적인 기업들은 차세대 제품을 생산하는데 있어 IR이 벤치마킹한 전력관리 제품에 의존하고 있다. 1947년에 설립된 IR은 미국 로스앤젤레스에 본사를 두고 있으며, 아시아 지역에서는 한국을 비롯해 중국, 홍콩, 대만, 싱가폴, 인도, 호주, 그리고 필리핀등에서 영업을 하고 있다. IR은 전세계 5,500명의 직원이 있으며, 미국, 영국, 멕시코 및 이탈리아에 제조 공장이 있다. 한국지사는 1993년 설립되었으며, 영업, 기술, 고객관리등의 분야에서 활발한 사업을 벌이고 있다.