IR, 25V DirectFET MOSFET 3종 출시

(2006년 7월 31일, 서울) - 전력 관리 기술분야의 세계적인 선두업체인 IR은 25V DirectFET® MOSFET 3종을 새로 출시했다. 이번에 출시한 IRF6622 컨트롤MOSFET 및 IRF6628, IRF6629 동기식 MOSFET은 전력 밀도를 증가시키기 위해 고효율 및 온도 전도율 향상이 필요한 내장형 CPU 전력, 서버 및 텔레콤 시스템용 VRM 모듈, 내장형 DC-DC 컨버터에 적합하도록 설계되었다.

IR 코리아 허기병 대표는 "25V DirectFET 제품들은 경쟁사 20V 제품 대비 전압 헤드룸을 제공함으로써 12V 애플리케이션용으로 가장 적합 (스윗스팟: sweet spot)하며, 동일한 활성 영역을 갖춘 30V 디바이스 대비 전력 손실을 감소시킨다!¡L라고 말했다.

IRF6622 제어MOSFET은 최소한의 스위칭 손실을 위한 매우 낮은 Qg (12nC)가 특징이다. IRF6628 및 IRF6629 동기식 MOSFET 2종은 각각 1.9m¢G[, 1.6m¢G[의 매우 낮은 RDS(on)을 가져 저전도 손실에 최적화되었다. IRF6622PbF는 SQ 풋프린트의 소형 캔 DirectFET 패키지로 공급되며 IRF6628PbF 및 IRF6629PbF는 MX 풋프린트의 중형 DirectFET 패키지로 공급된다.

25V DirectFET 제품들은 상 당 설계가 20A ~ 30A가 목표이다. 입력12V, 출력 1.3V, 300kHz, 5상 설계에서, 상 당 한 쌍의 IRF6622와 IRF6628은 인터내셔널 렉티파이어의 XPhase® 칩셋과 함께 130A에서 88%의 효율성을 달성한다. 동일한 조건에서 한 쌍의 IRF6622와 IRF6629 는 130A에서 88.5%를 달성해서 더 높은 효율성을 실현한다.

데이터 시트는 인터내셔널 렉티파이어의 웹사이트 www.irf.com. 에서 참조할 수 있다.

Part #	Package	BVDSS (V)	RDS(on) typ @10V(mΩ)	R DS(on) typ @4.5V(mΩ)	VGS(V)	ID @ Tc=25oC (A)	QG typ (nC)	QGD typ(nC)
IRF6622	DirectFET SQ	25	4.9	6.8	20	59	11.0	3.8
IRF6628	DirectFET MX	25	1.9	2.5	20	160	31	12

IRF6622, IRF6628, IRF6629 DirectFET MOSFET 제품 모두 바로 이용할 수 있다. 10,000 개 수량 단위 기준으로 IRF6622는 개당 US $0.53이며, IRF6628은 US $0.89, IRF6629는 US $0.95로 가격이 책정되었다. 가격은 변동될 수 있다. DirectFET MOSFET 제품들은 RoHS를 준수한다.

인터내셔날 렉티파이어(IR, www.irf.com)는?
세계적 전력용 반도체 분야의 선두 주자인 IR은 고성능 컴퓨팅 작업과 전기를 가장 많이 소모하는 제품군인 모터의 전력 낭비를 줄여주는 디지털, 아날로그 및 혼합 시그널 IC, 고성능 회로 부품, 집적된 전력 시스템과 부품들을 생산, 공급한다. 자동화, 제어, 자동차의 전기시스템, 가전제품, 컴퓨터와 주변장치, 통신장비, 조명장치, 그리고 항공/우주 산업 분야 등 모든 형태의 전기/전자 장비를 생산하는 세계적인 기업들은 차세대 제품을 생산하는데 있어 IR이 벤치마킹한 전력관리 제품에 의존하고 있다. 1947년에 설립된 IR은 미국 로스앤젤레스에 본사를 두고 있으며, 아시아 지역에서는 한국을 비롯해 중국, 홍콩, 대만, 싱가폴, 인도, 호주, 그리고 필리핀등에서 영업을 하고 있다. IR은 전세계 5,500명의 직원이 있으며, 미국, 영국, 멕시코 및 이탈리아에 제조 공장이 있다. 한국지사는 1993년 설립되었으며, 영업, 기술, 고객관리등의 분야에서 활발한 사업을 벌이고 있다.