IR, 쿨러 기능의 소형 DC-DC 컨버터 애플리케이션을 위한 고효율 150V
DirectFET MOSFET 출시

(2006년 12월 18 일, 서울) - 전력 관리 기술분야의 세계적인 선두업체인IR 은 36V에서 75V 범용 텔레콤 입력 및 48V 고정 입력 시스템에 이르기까지 광범위한 범위에서 동작하는 절연형 DC-DC 컨버터용 150V DirectFET® MOSFET인 IRF6643PbF를 출시했다. IR의 첨단 DirectFET 패키징 기술과 차세대 HEXFET® 파워 MOSFET 실리콘이 결합된, 새로운 DirectFET 소자는 정격 전류를 최대 35 암페어까지 달성하면서 로우 프로파일 SO-8 패키지 소자와 동일한 풋프린트에서 뛰어난 온도 성능과 더 높은 효율을 제공한다.

IR의 디스크리트 제품을 총괄하는 칼 블레이크 (Carl Blake) 기술 마케팅 이사는 "IR의 DirectFET 제품라인에서 가장 최신 제품인 이 소자는 파워 MOSFETs, RDS(on), Qg, Qgd 의 성능을 결정짓는 중요한 파라미터를 지속적으로 향상시킴으로써 전도, 스위칭, 역복구 손실 (reverse-recovery loss)을 최소화시킨다. 이 같은 기술 향상은 더 높은 전류 레벨에서 동작할 수 있게 하면서, 단일 MOSFET의 소형 폼 팩터를 유지할 수 있게 한다"면서 "50% 이상까지 보드 공간을 감소시킴으로써, 단일 DirectFET MOSFET은 이제 2개 또는 3개의 SO-8 패키지를 대체할 수 있다"라고 말했다.

이 소자의 매우 낮은 10V RDS(on)의 29 mOhm과 낮은 인덕턴스의 특징은 고전류 동기식 정류기 소켓에 이상적이다. 또한, 매우 낮은 39 nC Qg 와 11nC Qgd의 특징을 갖춘 IRF6643TRPbF는 절연형이나 중형 DC bus 컨버터에서 1차측 MOSFET으로 기능을 발휘하며, Medium-sized(MZ)로 패키징 되었다.

특허형 DirectFET 패키징 기술
IR의 특허형 DirectFET MOSFET 패키지는 표준 플라스틱 디스크리트 패키지로 기존에 구현되지 않았던 새로운 설계 장점을 제공한다. 이러한 금속형 캔 구조 (metal can construction)은 고성능 마이크로프로세서를 구동시키는 고주파수 DC-DC 벅 컨버터의 전류 조절 용량을 효율적으로 2배 증가시키는 양면 (dual-side) 냉각 기능을 실현시킨다. 또한, DirectFET 패키지로 이용할 수 있는 소자들은 특정 유해물질 사용제한 지침(RoHS: (Restriction of Hazardous Substances Directive)을 준수한다. DirectFET MOSFET 패키징 기술과 관련된 보다 자세한 정보는 directfet.irf.com 와 discovery.irf.com 에서 참조할 수 있다.

인터내셔날 렉티파이어(IR, www.irf.com)는?
세계적 전력용 반도체 분야의 선두 주자인 IR은 고성능 컴퓨팅 작업과 전기를 가장 많이 소모하는 제품군인 모터의 전력 낭비를 줄여주는 디지털, 아날로그 및 혼합 시그널 IC, 고성능 회로 부품, 집적된 전력 시스템과 부품들을 생산, 공급한다. 자동화, 제어, 자동차의 전기시스템, 가전제품, 컴퓨터와 주변장치, 통신장비, 조명장치, 그리고 항공/우주 산업 분야 등 모든 형태의 전기/전자 장비를 생산하는 세계적인 기업들은 차세대 제품을 생산하는데 있어 IR이 벤치마킹한 전력관리 제품에 의존하고 있다. 1947년에 설립된 IR은 미국 로스앤젤레스에 본사를 두고 있으며, 아시아 지역에서는 한국을 비롯해 중국, 홍콩, 대만, 싱가폴, 인도, 호주, 그리고 필리핀등에서 영업을 하고 있다. IR은 전세계 5,500명의 직원이 있으며, 미국, 영국, 멕시코 및 이탈리아에 제조 공장이 있다. 한국지사는 1993년 설립되었으며, 영업, 기술, 고객관리등의 분야에서 활발한 사업을 벌이고 있다.