IR, 소형의 고성능 증폭기를 위한
통합형 및 보호형 클래스 D 오디오 칩셋 출시

- 유연한 칩셋, MOSFET을 단순히 교체시켜 50-500W의 애플리케이션을 다룰 정도로 확장

전력 관리 기술분야의 세계적인 선두업체인IR은 새로운 통합형 오디오 드라이버 IC인 IRS2092를 출시했다. 보호기능을 갖춘 PWM 을 내장하고 있고, IR의 디지털 오디오 MOSFET들과 잘 매치되는 이 칩셋은 홈 씨어터, 홈 스테레오, 액티브 스피커, 음악 기기, 전문가급 오디오 애플리케이션에서 50W ~ 500W에 이르는 중간 전력의 고성능 클래스 D 오디오 증폭기를 겨냥하고 있다.

IR의 오디오 제품 스테판 에르녹스 (Stephane Ernoux) 마케팅 이사는 "IR의 새로운 칩셋은 클래스 D의 오디오 효율성 및 크기 장점을 고성능 증폭기에 실현시켜, 오디오 성능을 저하시키지 않고도 클래스 AB 설계에서 요구되는 전체 보드 공간을 상당히 축소시킨다"면서 "더욱 향상된 이번IC는 보호 기능, 데드 타임, 내장 PWM 모듈레이터를 이용해 유연한 블록 설계를 제공함으로써 설계자의 업무를 최소화시킨다. 이 같은 특징은 MOSFET을 단순히 교체함으로써 각각의 설계 사양에 쉽게 대처하도록 할수 있다"라고 말했다.

새로운 칩셋은 클래스 D 오디오를 사용함으로써, 클래스 AB보다 훨씬 더 작게 구현 가능하다. 예를 들어, 100W 애플리케이션에서, IRS2092 IC 와 IRF6645 DirectFET® MOSFET은 보드 크기를 60%까지 감소시키고 일반적인 BOM에서 부품의 20%를 제거한다.

IRS2092 오디오 IC 기술 세부사항
하프 브리지 토폴로지에 기반을 둔, 새로운 오디오 드라이버 IC는 오류 증폭기, PWM 비교기, 게이트 드라이버 및 강력한 보호 회로를 포함해 클래스 D 설계 구현을 위한 4가지의 필수적인 기능을 통합시켰다. 그 결과, 소형의 16-핀 IC는 높은 잡음 면역을 제공하고 시작 및 정지 클릭 소음을 감소시키면서, 과부하 보호와 같은 가장 복잡하고 비용이 많이 드는 설계 작업을 확실히 감소시킨다.
핵심적인 IRS2092 기능들에는 최대 800 kHz의 주파수를 갖춘 아날로그 PWM 모듈레이터, 셀프-리셋 제어 기능의 프로그래머블 양방향 OCP (over-current protection), UVLO (under-voltage lockout protection), 확장성 높은 전력 설계를 위한 프로그래머블 프리셋 데드타임 등이 포함된다.

디지털 오디오 MOSFET 기술 정보
이 IC는 50W에서 500W에 이르는 출력 전력을 다루는 광범위한 디지털 오디오 MOSFET과 한 쌍이 될 수 있다. IR의IRFI4x, IRFB422x, DirectFET 제품군의 일부인 이러한 MOSFET 제품들은 효율성, THD, EMI와 같은 오디오 성능에 결정적인 파리미터에 최적화 되어 있다.

IRAUDAMP5 레퍼런스 설계
IRAUDAMP5 레퍼런스 설계는 개발 및 평가 기간을 단축시켜준다. 이 보드는IRS2092 IC 및 IRF6645 DirectFET를 사용한 하프-브릿지120W, 2채널 앰프이며, 정상적인 동작 조건에서 히트싱크를 요구하지 않는다. 이 설계는 MOSFET 단계에서 120W로 96%의 효율성과 1 kHz, 60W, 4옴 (두 가지 모두 일반적으로)에서 0.005%의 THD+N를 제공한다.

IC 스펙

Part Number	Offset Voltage	Sink/Source Current	VccRange (with UVLO)	Min/Max Output Voltage	Selectable Dead Time	Logic Compatible Input
IRS2092(S)PBF	+/-100V	1.2/1.0A	10-18V	10-18V	25/45/75/105ns	3.3/5.0V

MOSFET 스펙

Part Number	Package	Bvdss	Rds(on) typ. @10v	Id@Tc = 25°C	Qg typ
IRF6645	DirectFET SJ	100V	28mOhms	25A	14nC
IRF6665	DirectFET SH	100V	53mOhms	19A	8.7nC
IRF6775M	DirectFET MZ	150V	47mOhms	28A	25nC
IRF6785M	DirectFET MZ	200V	85mOhms	19A	26nC
IRFB4227PBF	TO220-AB	200V	20mOhms	65A	70nC
IRFI4024H-117P	TO-220 Full-Pak 5P	55V	48mOhms	11A	8.9nC
IRFI4212H-117P	TO-220 Full-Pak 5P	100V	58mOhms	11A	12nC
IRFI4019H-117P	TO-220 Full-Pak 5P	150V	80mOhms	8.7A	13nC
IRFI4020H-117P	TO-220 Full-Pak 5P	200V	80mOhms	9.1A	19nC

데이터 시트는 인터내셔널 렉티파이어의 웹사이트 www.irf.com. 에서 참조할 수 있다.

인터내셔날 렉티파이어(IR, www.irf.com)는?
세계적 전력용 반도체 분야의 선두 주자인 IR(NYSE: IRF)은 고성능 컴퓨팅 작업과 전기를 가장 많이 소모하는 제품군인 모터의 전력 낭비를 줄여주는 디지털, 아날로그 및 혼합 시그널 IC, 고성능 회로 부품, 집적된 전력 시스템과 부품들을 생산, 공급한다. 자동화, 제어, 자동차의 전기시스템, 가전제품, 컴퓨터와 주변장치, 통신장비, 조명장치, 그리고 항공/우주 산업 분야 등 모든 형태의 전기/전자 장비를 생산하는 세계적인 기업들은 차세대 제품을 생산하는데 있어 IR이 벤치마킹한 전력관리 제품에 의존하고 있다. 1947년에 설립된 IR은 미국 로스앤젤레스에 본사를 두고 있으며, 아시아 지역에서는 한국을 비롯해 중국, 홍콩, 대만, 싱가폴, 인도, 호주, 그리고 필리핀등에서 영업을 하고 있다. IR은 전세계 5,500명의 직원이 있으며, 미국, 영국, 멕시코 및 이탈리아에 제조 공장이 있다. 한국지사는 1993년 설립되었으며, 영업, 기술, 고객관리등의 분야에서 활발한 사업을 벌이고 있다.