IR, 전류 밀도와 성능을 향상시킨 동기식 벅 컨버터 디자인용
30 V DirectFET® MOSFET 제품군 출시

(2008년 5월 29일, 서울) - 전력 관리 기술분야의 세계적인 선두업체인 IR은 노트북 컴퓨터, 서버 CPU 전원, 그래픽, 메모리 전압 레귤레이터 애플리케이션에 사용되는 동기식 벅 컨버터 디자인용으로 최적화된 30 V DirectFET® MOSFET 제품군을 발표했다.

이번 신제품은 IR의 최신 세대 30 V HEXFET® 파워 MOSFET 반도체 및 첨단 DirectFET 패키징 기술이 결합되어, 표준형 SO-8 소자와 비교할 때 풋프린트는 40 퍼센트 더 작으며 프로파일은 0.7mm로 매우 얇다. 이 신세대의 30V 소자는 온 상태의 저항 (RDS(on))이 매우 낮으며, 게이트 전하 (Qg)와 게이트 대 드레인 전하 (Qgd)가 최소화되었고 이와 함께 패키지 인덕턴스가 극히 낮아서 전도와 스위칭 손실을 감소시킨다.

엔터프라이즈 파워 제품을 담당하는 IR의 제프 셔먼 (Jeff Sherman) 마케팅 수석 매니저는 "당사의 벤치마크 파워 MOSFET 반도체와 DirectFET 패키징을 강화함으로써, 이번 신형 30V 소자들은 RDS(on), Qg 그리고Qgd가 매우 낮아져 전체 부하에 대한 효율과 열 성능이 향상되었다. 또한, 이 제품들은 위상 당 25A까지 동작이 가능하며 단일 컨트롤 및 단일 동기식 MOSFET의 폼팩터가 작다" 고 말했다.

IRF6724M과 IRF6725M, IRF6726M, IRF6727M은 RDS(on)가 매우 낮은 특성을 갖고 있어 고전류의 동기식 MOSFET에 매우 적합하다. 이들 신형 소자들은 이전 세대 소자들과 마찬가지로 공통의 MT와 MX 풋프린트를 사용하며, 전류 증가 또는 열 성능의 개선이 필요한 애플리케이션에서 용이하게 사용 가능하다.

IRF6721S과 IRF6722S, IRF6722M의 Qg와 Qgd가 매우 낮기 때문에, 이들 소자들은 컨트롤 MOSFET에 매우 적합하며 SQ과 ST, MP 풋프린트로 공급이 가능해 디자인의 다양성이 훨씬 크다.

스펙

Part Number	BVDSS (V)	RDS(on) typ @10V (mOhms)	RDS(on) typ @4.5V (mOhms)	QG typ (nC)	QGD typ (nC)	DirectFET Outline Code
IRF6721S	30	5.1	8.5	11	3.7	SQ
IRF6722S	30	4.7	8.0	11	4.1	ST
IRF6722M	30	4.7	8.0	11	4.3	MP
IRF6724M	30	1.9	2.7	33	10	MX
IRF6725M	30	1.7	2.4	36	11	MX
IRF6726M	30	1.3	1.9	51	16	MT
IRF6727M	30	1.2	1.8	49	16	MX

인터내셔날 렉티파이어(IR, www.irf.com)는?
세계적 전력용 반도체 분야의 선두 주자인 IR(NYSE: IRF)은 고성능 컴퓨팅 작업과 전기를 가장 많이 소모하는 제품군인 모터의 전력 낭비를 줄여주는 디지털, 아날로그 및 혼합 시그널 IC, 고성능 회로 부품, 집적된 전력 시스템과 부품들을 생산, 공급한다. 자동화, 제어, 자동차의 전기시스템, 가전제품, 컴퓨터와 주변장치, 통신장비, 조명장치, 그리고 항공/우주 산업 분야 등 모든 형태의 전기/전자 장비를 생산하는 세계적인 기업들은 차세대 제품을 생산하는데 있어 IR이 벤치마킹한 전력관리 제품에 의존하고 있다. 1947년에 설립된 IR은 미국 로스앤젤레스에 본사를 두고 있으며, 아시아 지역에서는 한국을 비롯해 중국, 홍콩, 대만, 싱가폴, 인도, 호주, 그리고 필리핀등에서 영업을 하고 있다. IR은 전세계 5,500명의 직원이 있으며, 미국, 영국, 멕시코 및 이탈리아에 제조 공장이 있다. 한국지사는 1993년 설립되었으며, 영업, 기술, 고객관리등의 분야에서 활발한 사업을 벌이고 있다.