IR, Op Amp및 부트스트랩 기능이 집적된 모터 드라이브
애플리케이션용3상 게이트 드라이버 출시

(2008년 7월 18일, 서울) - 전력 관리 기술분야의 세계적인 선두업체인 IR은 에어컨, 세탁기, 펌프 및 팬, 초소형, 소형 및 범용 인버터 드라이브 등의 PM 모터 드라이브를 포함하는 저, 중, 고전압의 모터 드라이브 애플리케이션에 적합한 3 상 게이트 드라이버 IC인 IRS233x(D) 제품군을 발표했다.

IRS233x(D)는 레퍼런스 출력 채널을 갖춘 고전압 고속의 파워 MOSFET과 IGBT 3 상 브리지 드라이버로, 최고 600V까지 동작시키는 최고 20 V의 MOS 게이트 드라이브 성능에서 200 mA/420 mA의 드라이브 전류를 제공한다. 이 신형 소자는 접지 레퍼런스를 갖춘 차동 증폭기 기능을 내장하고 있어 외부 전류 감지 저항과 선택사양인 통합된 부트스트랩 다이오드를 경유, 브리지 전류의 아날로그 피드백을 제공함으로써 외부 부품의 수를 줄이고 PCB의 크기를 줄여준다.

자동차, 어플라이언스, 산업용 모션 제품을 담당하는 IR의 헤닝 하우엔슈타인 (Henning Hauenstein) 제품 마케팅 부사장은 "집적도가 높고 차동 증폭기 및 부트스트랩 다이오드가 포함되어 있는 IRS233x(D) 제품군은 모터 드라이브 디자인을 단순화 및 축소하는 한편 높은 수준의 신뢰도와 견고성을 제공한다" 고 말했다.

IRS233x(D) 제품군은 극단적인 스위칭 조건 및 단락 회로 조건 하에서 안전한 동작을 위해 특허기술인 네거티브 전압 스파이크 (Vs) 내성기술을 포함하여 종합적인 보호 기능을 제공한다. 출력 드라이버는 최소 드라이버 크로스 전도를 위해 디자인된 고 펄스 전류 버퍼 단 특징을 갖추고 있으며, 전파 지연은 높은 주파수에서 사용을 단순화하도록 맞추어져 있다. 또한, 부동 채널을 사용하여 하이 사이드 구성에서 N 채널 파워 MOSFET 또는 IGBT 구동이 가능하다.

신형 IC에는 IR의 고성능 HVIC (high-voltage IC) 공정을 이용하며, 이 공정은 차세대 고전압 레벨-시프팅 및 터미네이션 기술이 통합되어 있어 우수한 전기적 오버-스트레스 보호 및 더 높은 필드 신뢰성을 제공한다. IRS233x(D)는 과전류 검출 입력 기능 외에 저전압 록아웃 보호, 통합형 데드타임 보호, 슛 쓰루 보호, 오류 보고 등의 기능을 가지고 있으며 3.3V의 입력 로직과 호환 가능하다.

스펙

Part Number	Voffset	Vout	Io+ /Io- (typ)	Deadtime (typ)	Integrated Bootstrap Diode
IRS2330	600 V	12 V - 20 V	200 mA/420 mA	2 µs	-
IRS2330D	600 V	12 V - 20 V	200 mA/420 mA	2 µs	Yes
IRS2332	600 V	12 V - 20 V	200 mA/420 mA	0.7 µs	-
IRS2332D	600 V	12 V - 20 V	200 mA/420 mA	0.7 µs	Yes

인터내셔날 렉티파이어(IR, www.irf.com)는?
세계적 전력용 반도체 분야의 선두 주자인 IR(NYSE: IRF)은 고성능 컴퓨팅 작업과 전기를 가장 많이 소모하는 제품군인 모터의 전력 낭비를 줄여주는 디지털, 아날로그 및 혼합 시그널 IC, 고성능 회로 부품, 집적된 전력 시스템과 부품들을 생산, 공급한다. 자동화, 제어, 자동차의 전기시스템, 가전제품, 컴퓨터와 주변장치, 통신장비, 조명장치, 그리고 항공/우주 산업 분야 등 모든 형태의 전기/전자 장비를 생산하는 세계적인 기업들은 차세대 제품을 생산하는데 있어 IR이 벤치마킹한 전력관리 제품에 의존하고 있다. 1947년에 설립된 IR은 미국 로스앤젤레스에 본사를 두고 있으며, 아시아 지역에서는 한국을 비롯해 중국, 홍콩, 대만, 싱가폴, 인도, 호주, 그리고 필리핀등에서 영업을 하고 있다. IR은 전세계 5,500명의 직원이 있으며, 미국, 영국, 멕시코 및 이탈리아에 제조 공장이 있다. 한국지사는 1993년 설립되었으며, 영업, 기술, 고객관리등의 분야에서 활발한 사업을 벌이고 있다.