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IR, POL 동기식 벅 컨버터 애플리케이션을 위해
향상된 25V 및 30V MOSFET 출시
 (2009년 5월 15일, 서울) - 전력 관리 기술분야의 세계적인 선두업체인 IR은 소비가전 및 네트워킹 부문을 위한 컴퓨팅 애플리케이션의 동기식 벅 컨버터와 배터리 보호 기능을 위해 강화된 스위칭 성능을 특징으로 하는 신형 25V 및 30V N-채널 트렌치 HEXFET® 전력 MOSFET 시리즈를 오늘 출시했다.
IR의 검증된 실리콘 기술을 이용해서 만든 신형 MOSFET 제품군은 벤치마크 된 RDS(ON)과 향상된 스위칭 성능을 제공한다. 디바이스의 낮은 도전 손실 특성은 전부하 효율과 온도 성능을 향상시키며 낮은 스위칭 손실 특성은 심지어 경부하 조건에서도 높은 효율을 달성할 수 있도록 지원한다.
IR의 전력관리 디바이스 사업부 스테판 에녹스(Stéphane Ernoux) 마케팅 이사는 "신형 MOSFET는 또한 동일한 핀-아웃 구성을 유지하면서도 SO-8 패키지에 비해 향상된 전력밀도를 제공하는 Power QFN 패키지로 제공된다." 면서 "애플리케이션에 따라 Dual SO-8 MOSFET은 '투포원' (two for one) 교체를 통해 부품 수를 줄일 수 있다." 고 덧붙였다.
Single 및 Dual N-채널 MOSFET은 현재 공급되고 있으며, Single 디바이스는 D-PAK, I-PAK, SO-8 패키지뿐만 아니라 대량생산을 위해 최적화된 PQFN 5mm x 6mm 및 3mm x 3mm 패키지로 제공되며, Dual 디바이스는 SO-8 패키지로 제공된다. 신형 디바이스들은 RoHS를 준수하며, Halogen-free 제품으로 제공 가능하다.
스펙
| 단일 N 채널 |
| Part Number |
Bvdss
(V) |
Package |
RDS(on) Max @10Vgs (mΩ) |
RDS(on) Max @4.5Vgs (mΩ) |
Id @ TC=25C(A) |
Id @ TA=25C(A) |
Qg Typ (nC) |
| IRL(R,U)8256(TR)PBF |
25 |
D-Pak/I-PAK |
5.7 |
8.5 |
81 |
N/A |
10 |
| IRL(R,U)8259(TR)PBF |
25 |
D-Pak/I-PAK |
8.7 |
12.9 |
57 |
N/A |
6.8 |
| IRF8252(TR)PBF |
25 |
SO-8 |
2.7 |
3.7 |
N/A |
25 |
35 |
| IRL(R,U)8743(TR)PBF |
30 |
D-Pak/I-PAK |
3.1 |
3.9 |
160 |
N/A |
39 |
| IRL(R,U)8726(TR)PBF |
30 |
D-Pak/I-PAK |
5.8 |
8.0 |
86 |
N/A |
15 |
| IRL(R,U)8721(TR)PBF |
30 |
D-Pak/I-PAK |
8.4 |
11.8 |
65 |
N/A |
8.5 |
| IRL(R,U)8729(TR)PBF |
30 |
D-Pak/I-PAK |
8.9 |
11.9 |
58 |
N/A |
10 |
| IRFH3702(TR,TR2)PBF |
30 |
PQFN 3 x 3 |
7.1 |
11.8 |
N/A |
16 |
9.6 |
| IRFH3707(TR,TR2)PBF |
30 |
PQFN 3 x 3 |
12.4 |
17.9 |
N/A |
12 |
5.4 |
| IRFH7932(TR,TR2)PBF |
30 |
PQFN 5 x 6 |
3.3 |
3.9 |
N/A |
24 |
34 |
| IRFH7934(TR,TR2)PBF |
30 |
PQFN 5 x 6 |
3.5 |
5.1 |
N/A |
24 |
20 |
| IRFH7936(TR,TR2)PBF |
30 |
PQFN 5 x 6 |
4.8 |
6.8 |
N/A |
20 |
17 |
| IRFH7921(TR,TR2)PBF |
30 |
PQFN 5 x 6 |
8.5 |
12.5 |
N/A |
15 |
9.3 |
| IRFH7914(TR,TR2)PBF |
30 |
PQFN 5 x 6 |
8.7 |
13 |
N/A |
15 |
8.3 |
| IRF8788(TR)PBF |
30 |
SO-8 |
2.8 |
3.8 |
N/A |
24 |
44 |
| IRF7862(TR)PBF |
30 |
SO-8 |
3.7 |
4.5 |
N/A |
21 |
30 |
| IRF8734(TR)PBF |
30 |
SO-8 |
3.5 |
5.1 |
N/A |
21 |
20 |
| IRF8736(TR)PBF |
30 |
SO-8 |
4.8 |
6.8 |
N/A |
18 |
17 |
| IRF8721(TR)PBF |
30 |
SO-8 |
8.5 |
12.5 |
N/A |
14 |
8.3 |
| IRF8714(TR)PBF |
30 |
SO-8 |
8.7 |
13 |
N/A |
14 |
8.1 |
| IRF8707(TR)PBF |
30 |
SO-8 |
11.9 |
17.5 |
N/A |
11 |
6.2 |
| N/A = Not Applicable |
| 듀얼 N 채널 |
| Part Number |
Package |
Configuration |
Bvdss
(V) |
RDS(on) Max @10Vgs(mΩ) |
Vgs Max.(V) |
Qg Typ (nC) |
| IRF8313PBF |
SO-8 |
Independent symmetric |
30 |
15.5 |
± 20 |
6.0 |
| IRF8513PBF |
SO-8 |
Half-Bridge asymmetric |
30 |
12.7 |
± 20 |
7.6 |
| 15.5 |
5.7 |
인터내셔날 렉티파이어(IR, www.irf.com)는?
세계적 전력용 반도체 분야의 선두 주자인 IR(NYSE: IRF)은 고성능 컴퓨팅 작업과 전기를 가장 많이 소모하는 제품군인 모터의 전력 낭비를 줄여주는 디지털, 아날로그 및 혼합 시그널 IC, 고성능 회로 부품, 집적된 전력 시스템과 부품들을 생산, 공급한다. 자동화, 제어, 자동차의 전기시스템, 가전제품, 컴퓨터와 주변장치, 통신장비, 조명장치, 그리고 항공/우주 산업 분야 등 모든 형태의 전기/전자 장비를 생산하는 세계적인 기업들은 차세대 제품을 생산하는데 있어 IR이 벤치마킹한 전력관리 제품에 의존하고 있다. 1947년에 설립된 IR은 미국 로스앤젤레스에 본사를 두고 있으며, 아시아 지역에서는 한국을 비롯해 중국, 홍콩, 대만, 싱가폴, 인도, 호주, 그리고 필리핀등에서 영업을 하고 있다. IR은 전세계 5,500명의 직원이 있으며, 미국, 영국, 멕시코 및 이탈리아에 제조 공장이 있다. 한국지사는 1993년 설립되었으며, 영업, 기술, 고객관리등의 분야에서 활발한 사업을 벌이고 있다. |
