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IR, 산업용 애플리케이션을 위한 매우 낮은 게이트 차지를 제공하는 150V 및 200V MOSFET 출시
(2009년 8월 18일, 서울) - 전력 관리 기술분야의 세계적인 선두업체인 IR은 산업용 애플리케이션을 위해 매우 낮은 게이트 차지(Qg)를 제공하면서 스위치 모드 전원장치(SMPS), 무정전 전원장치(UPS), 인버터, DC 모터 드라이브용 150V 및 200V HEXFET® 전력 MOSFET 제품군을 출시했다.
IR의 150V MOSFET은 경쟁 디바이스에 비해 최대 59% 더 적은 전체 게이트 차지를 제공하며 신형 200V MOSFET은 경쟁 디바이스에 비해 최대 33% 더 적은 전체 게이트 차지를 갖는다.
IR의 전력 관리 디바이스 사업부 브라이언 라발레(Brian LaValle) 마케팅 부장은 "DC-DC 전력 컨버터 애플리케이션이 발전하고 스위칭 주파수가 증가함에 따라 입력 커패시턴스와 게이트 차지가 전체 효율에서 중요한 역할을 한다. 이번에 출시된 IR의 150V 및 200V MOSFET은 스위칭 손실이 중요한 고속 스위칭 회로에 최적화되어 있어 텔레콤 애플리케이션을 위한 절연 DC-DC 컨버터의 1차 스위치 용으로 또는 모든 향상된 DC-DC 애플리케이션에서 높은 경부하 효율을 제공하는 데 적합하다" 고 말했다.
신형 MOSFET은 산업 등급 및 MSL1(moisture sensitivity level 1) 인증을 완료하였으며 TO220, D2PAK, TO262, DPAK 및 IPAK 패키지로 제공된다. 제품은 모두 Pb free이며 RoHS를 준수한다.
스펙
| Part Number |
Package |
Voltage (V) |
Id (A) |
Rdson Max. (mΩ) |
Qg (nC) |
| IRFB4615PBF |
TO220 |
150 |
35 |
39 |
26 |
| IRFS4615PBF |
D2PAK |
150 |
35 |
39 |
26 |
| IRFSL4615PBF |
TO262 |
150 |
35 |
39 |
26 |
| IRFB4620PBF |
TO220 |
200 |
25 |
72.5 |
25 |
| IRFS4620PBF |
D2PAK |
200 |
25 |
72.5 |
25 |
| IRFSL4620PBF |
TO262 |
200 |
25 |
72.5 |
25 |
인터내셔날 렉티파이어(IR, www.irf.com)는? 세계적 전력용 반도체 분야의 선두 주자인 IR(NYSE: IRF)은 고성능 컴퓨팅 작업과 전기를 가장 많이 소모하는 제품군인 모터의 전력 낭비를 줄여주는 디지털, 아날로그 및 혼합 시그널 IC, 고성능 회로 부품, 집적된 전력 시스템과 부품들을 생산, 공급한다. 자동화, 제어, 자동차의 전기시스템, 가전제품, 컴퓨터와 주변장치, 통신장비, 조명장치, 그리고 항공/우주 산업 분야 등 모든 형태의 전기/전자 장비를 생산하는 세계적인 기업들은 차세대 제품을 생산하는데 있어 IR이 벤치마킹한 전력관리 제품에 의존하고 있다. 1947년에 설립된 IR은 미국 로스앤젤레스에 본사를 두고 있으며, 아시아 지역에서는 한국을 비롯해 중국, 홍콩, 대만, 싱가폴, 인도, 호주, 그리고 필리핀등에서 영업을 하고 있다. IR은 전세계 5,500명의 직원이 있으며, 미국, 영국, 멕시코 및 이탈리아에 제조 공장이 있다. 한국지사는 1993년 설립되었으며, 영업, 기술, 고객관리등의 분야에서 활발한 사업을 벌이고 있다. |