IR의 차량용 DirectFET®2 전력 MOSFET,
탁월한 전력 밀도 및 성능 제공

(2010년 1월 26일, 서울) - 전력관리 기술 분야의 세계적인 선도업체인 인터내셔널 렉티파이어, IR(NYSE: IRF)가 AUIRF7739L2과 AUIRF7665S2 차량용 DirectFET®2 전력 MOSFET를 출시했다. 이들 제품들은 차량용 애플리케이션을 위한 강건하고 신뢰할 수 있는 AEC-Q101 인증 패키지로 제공되어 탁월한 전력밀도, 양면 냉각 기능, 낮은 기생 인덕턴스 및 저항 등의 특성을 제공한다.

IR에서 제공하는 이 최초의 차량용 DirectFET2 디바이스들은 완전 리드-프리이며, 전통적인 표준 플라스틱 패키징 컴포넌트들과 비교하여 탁월한 성능과 효율과 더불어 전체 시스템 레벨에서 크기와 비용 절감을 제공한다.

"AUIRF7739L2과 AUIRF7665S2은 IR의 최신 트랜치 실리콘 공정을 통해 검증된 DirectFET 패키징 기술의 탁월한 신뢰성과 성능을 통합하고 있다." 면서 "신형 DirectFET2 디바이스들은 매우 낮은 RDS(on), 게이트 전하(Qg) 또는 로직 레벨 동작을 위한 차세대 차량 플랫폼용 애플리케이션에 의해 최적화될 수 있기 때문에 성능과 효율을 극적으로 향상시키고 시스템 크기와 부품 수를 절감한다." 고 말했다.

새로운 대형 캔 패키지로 제공되는 AUIRF7739L2는 해당 PCB 영역에서 40V 조건에서 0.7mOhm의 업계 최저의 RDS(on) 특성을 지원한다. 뿐만 아니라, 대형 캔은 D2PAK보다 60% 작은 풋프린트와 85% 낮은 프로파일을 특징으로 한다. 디바이스는 탁월한 전력밀도와 효율을 제공하기 때문에 EPS(Electric Power Steering), 배터리 스위치, 마이크로 하이브리드 자동차의 ISA(Integrated Starter Alternator), 섀시, 드라이브 트레인 및 전력 트레인 시스템 등과 같은 중부하 모터 제어 애플리케이션에 적합하다.

AUIRF7665S2 소형 캔 디바이스는 매우 낮은 게이트 전하를 위해 최적화되었으며, 신속하고 효율적인 스위칭 성능을 위해 매우 낮은 기생 특성을 나타낸다. DirectFET2 MOSFET은 클래스 D 오디오 증폭기의 출력단, DC/DC 컨버터, 연료 분사 시스템 등과 같은 차량용 스위칭 애플리케이션에 이상적이다.

두 디바이스 모두 AEC-Q100 표준 인증을 받았으며, 환경친화적인 무연 및 RoHs 호환 BoM을 특징으로 하며, 무결점을 목표로 하는 IR의 자동차 품질향상 활동에 포함되어 있다.

스펙

데이터시트, 애플리케이션 노트, 시뮬레이션 툴, 인증 표준 등은 인터내셔널 렉티파이어 웹사이트 www.irf.com에서 제공되고 있다.

공급시기 및 가격
양산 주문이 즉시 가능하다. 가격은 변경될 수 있다.

인터내셔날 렉티파이어(IR, www.irf.com)는?
세계적 전력용 반도체 분야의 선두 주자인 IR(NYSE: IRF)은 고성능 컴퓨팅 작업과 전기를 가장 많이 소모하는 제품군인 모터의 전력 낭비를 줄여주는 디지털, 아날로그 및 혼합 시그널 IC, 고성능 회로 부품, 집적된 전력 시스템과 부품들을 생산, 공급한다. 자동화, 제어, 자동차의 전기시스템, 가전제품, 컴퓨터와 주변장치, 통신장비, 조명장치, 그리고 항공/우주 산업 분야 등 모든 형태의 전기/전자 장비를 생산하는 세계적인 기업들은 차세대 제품을 생산하는데 있어 IR이 벤치마킹한 전력관리 제품에 의존하고 있다. 1947년에 설립된 IR은 미국 로스앤젤레스에 본사를 두고 있으며, 아시아 지역에서는 한국을 비롯해 중국, 홍콩, 대만, 싱가폴, 인도, 호주, 그리고 필리핀등에서 영업을 하고 있다. IR은 전세계 5,500명의 직원이 있으며, 미국, 영국, 멕시코 및 이탈리아에 제조 공장이 있다. 한국지사는 1993년 설립되었으며, 영업, 기술, 고객관리등의 분야에서 활발한 사업을 벌이고 있다.