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IR, 업계 최초의 상용 GaN 기반
iP2010 및 iP2011 통합 전력단 디바이스 출시
IR의 혁신적인 GaN 기반 기술 플랫폼인 GaNpowIR™ 활용
(2010년 3월 5일, 서울) 전력관리 기술 분야의 세계적인 선도업체인 인터내셔날 렉티파이어(IR) (NYSE: IRF)는 IR의 혁신적인 질화갈륨(GaN, Gallium Nitride) 기반 전력 디바이스 기술 플랫폼을 활용한 업계 최초의 상용 통합 전력단 제품군을 출시했다. iP2010 및 iP2011 제품군의 디바이스들은 서버, 라우터, 스위치, 범용 POL DC-DC 컨버터 등을 포함한 다중위상 및 POL(point-of-load) 애플리케이션을 위해 설계되었다.
iP2010 및 iP2011은 멀티-스위치 모노리식 GaN 기반 전력 디바이스에 상응하는 최첨단 초고속 PowIRtuneTM 드라이버 IC를 통합했다. 이 디바이스들은 플립 칩 패키지 플랫폼에 실장되어 보다 높은 효율을 보이며, 첨단 실리콘 기반 통합 전력단 디바이스가 제공하는 것보다 2배 이상 높은 스위칭 주파수를 제공할 수 있다.
IR의 아시아 영업 담당 부사장인 데이빗 푼(David Poon)은 "DC-DC 애플리케이션을 위한 이러한 GaN 기반 전력 디바이스 제품군을 출시함으로써 고주파수, 고집적도, 고효율 전력변환 솔루션 분야에 대해 새로운 시대를 열게 되었으며, 혁신적인 전력관리 설계 분야의 개척자로서 IR의 위치를 다시 한번 확인시켰다" 고 말했다.
POL 제품 담당 부장인 존 램버트(John Lambert)는 "최대 5MHz까지의 스위칭 성능을 통해 iP201x 제품군은 설계자들이 공간이 가장 중요한 출력 커패시터와 인덕터의 가격과 크기를 극적으로 줄일 수 있도록 지원한다. 디바이스는 또한 최고 효율을 필요로 하는 애플리케이션을 위해 상대적으로 낮은 스위칭 주파수에서 동작하도록 구성될 수도 있다" 고 덧붙였다.
iP2010은 7V에서 13.2V까지의 입력 전압 범위, 그리고 최대 30A의 출력 전류를 제공하는 0.6V에서 5.5V까지의 출력 전압 범위를 특징으로 한다. 디바이스는 최대 3MHz까지 동작한다. 핀 호환이 가능한 iP2011은 최대 5MHz까지 동작하며, 동일한 입력 및 출력 범위를 제공하지만, 최대 20A까지의 출력 전류에 대해 최적화되었다. 동일한 풋프린트로 다중 전류 정격 디바이스들을 제공함으로써 IR은 전류 수준, 성능, 비용 등과 관련된 다양한 고객 요건들을 충족시킬 수 있는 유연성을 제공한다.
두 디바이스 모두 소형 풋프린트를 제공하는 LGA 패키지로 제공되며, 매우 낮은 전력 손실을 위해 최적화되다. 또한 매우 효율적인 양면 냉각 기능을 제공하며, RoHS를 준수하고 있다.
iP2010 스펙
| Part Number |
Package |
Vin Range (V) |
Vout Range (V) |
Iout Max (A) |
Sw Freq Range (kHz) |
| iP2010TRPBF |
7.7 x 6.5mm LGA |
7 - 13.2 |
0.6 - 5.5 |
30 |
250 - 3,000 |
iP2011 스펙
| Part Number |
Package |
Vin Range (V) |
Vout Range (V) |
Iout Max (A) |
Sw Freq Range (kHz) |
| iP2011TRPBF |
7.7 x 6.5mm LGA |
7 - 13.2 |
0.6 - 5.5 |
20 |
250 - 5,000 |
공급시기 및 가격
한페이지로 요약된 데이터시트가 IR의 웹사이트 www.irf.com 를 통해 제공되고 있다. 전체 데이터시트, 데모보드, 샘플 등은 인증 고객들을 대상으로 제공되고 있다. 추가 정보는 존 램버트(jlamber1@irf.com)에게 문의할 수 있다. 가격은 변경될 수 있다.
GaNpowIR™에 대해서
GaNpowIR은 혁신적인 질화갈륨(GaN) 기반 전력 디바이스 기술 플랫폼으로 첨단 실리콘 기반 기술 플랫폼과 비교하여 최대 10배까지 향상된 주요 애플리케이션별 FOM(figures of merit)을 고객들에게 제공하여 컴퓨팅, 통신, 자동차, 가정용 기기 등과 같은 다양한 시장 부문의 최종 애플리케이션에서 성능을 극적으로 증가시키고 에너지 소비를 줄일 수 있다. 선구적인 GaN 기반 전력 디바이스 기술 플랫폼은 IR의 전유 GaN-온-실리콘 에피택셜(GaN-on-silicon epitaxial) 기술에 기반한 5년 동안의 연구개발 활동을 통해 이루어진 산물이다. IR의 비용 효율적인 실리콘 제조 설비와 완벽하게 호환되는 일련의 디바이스 가공 공정들과 함께 고성능 150mm GaN-on-Si 에피택시 기술은 고객들에게 GaN 기반 전력 디바이스를 위한 세계 최고 수준의 상용 제조 플랫폼을 제공한다.
보다 자세한 정보는 http://www.irf.com/product-info/ganpowir/에서 볼 수 있다.
상표권 공지
IR®, GaNpowIR™, PowIRtune™은 인터내셔날 렉티파이어(of International Rectifier Corporation)의 등록상표이다. 그 외 여기에서 언급한 모든 제품명은 그들 각 소유자의 상표이다.
인터내셔날 렉티파이어(IR, www.irf.com)는?
세계적 전력용 반도체 분야의 선두 주자인 IR(NYSE: IRF)은 고성능 컴퓨팅 작업과 전기를 가장 많이 소모하는 제품군인 모터의 전력 낭비를 줄여주는 디지털, 아날로그 및 혼합 시그널 IC, 고성능 회로 부품, 집적된 전력 시스템과 부품들을 생산, 공급한다. 자동화, 제어, 자동차의 전기시스템, 가전제품, 컴퓨터와 주변장치, 통신장비, 조명장치, 그리고 항공/우주 산업 분야 등 모든 형태의 전기/전자 장비를 생산하는 세계적인 기업들은 차세대 제품을 생산하는데 있어 IR이 벤치마킹한 전력관리 제품에 의존하고 있다. 1947년에 설립된 IR은 미국 로스앤젤레스에 본사를 두고 있으며, 아시아 지역에서는 한국을 비롯해 중국, 홍콩, 대만, 싱가폴, 인도, 호주, 그리고 필리핀등에서 영업을 하고 있다. IR은 전세계 5,500명의 직원이 있으며, 미국, 영국, 멕시코 및 이탈리아에 제조 공장이 있다. 한국지사는 1993년 설립되었으며, 영업, 기술, 고객관리등의 분야에서 활발한 사업을 벌이고 있다.
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