ORing 및 모터 구동 애플리케이션 용으로 PQFN 패키지를 이용한
IR의 20V, 25V, 30V MOSFET 출시

가장 낮은 온저항을 제공하는 IRFH6200TRPbF

(2010년 3월 11일, 서울) 인터내셔날 렉티파이어(IR)(NYSE:IRF)는 전력 관리 기술의 세계적인 회사로서, 업계에서 가장 낮은 온저항(RDS(on))을 특징으로 한 IRFH6200TRPbF를 포함한 HEXFET 전력 MOSFET 제품군을 내놓았다.

이 새로운 전력 MOSFET 제품군은 IR의 최신 실리콘 기술을 채택하고 최적화된 구리 클립 및 솔더 다이를 이용해 5mm x 6mm PQFN 패키지로 제공되는 첫 디바이스다. IRFH6200TRPbF 20V 디바이스는 4.5V Vgs로 RDS(on)가 업계에서 가장 앞선 1.2mOhm (max.)에 불과하므로 핸드 툴 등을 비롯한 DC 모터 구동 애플리케이션의 전도 손실을 크게 감소시킨다.

IR의 아시아지역 영업 부사장인 David Poon은 "MOSFET 기술의 축적된 경험과 계속적인 혁신에 힘입어서 IR은 끊임 없이 성능을 향상시켜 왔으며, 최신 세대의 실리콘 기술과 PQFN 패키징 기술을 결합해서 업계에서 가장 낮은 RDS(on) 성능의 MOSFET 제품군을 내놓을 수 있게 되었다. IR의 제품 로드맵은 여기서 그치지 않고 수 개월에 걸쳐 고객의 요구에 부응하는 PQFN 벤치마크 MOSFET 제품군들을 추가로 내놓을 것"이라고 말했다.

25V IRFH5250TRPbF와 30V IRFH53xxTRPbF 디바이스는 능동 ORing와 DC 모터 구동 애플리케이션을 비롯, 높은 전류 전달 성능과 높은 효율을 필요로 하는 DC 스위치 애플리케이션 용으로 설계된 것이다. IRFH5250TRPbF는 1.15mOhm(max.)의 극히 낮은 RDS(on) 및 52nC에 불과한 게이트 전하(Qg)를 특징으로 하며, IRFH5300TRPbF 디바이스는 RDS(on)이 1.4mOhm(max.)에 불과하며 50nC Qg를 특징으로 한다.

IRFH6200TRPbF, IRFH5250TRPbF, IRFH53xxTRPbF를 이용함으로써 우수한 열 성능을 달성할 수 있을 뿐만 아니라 특정한 전력 손실로 더 적은 부품들을 필요로 하므로 기존 솔루션에 비해서 보드 공간과 비용을 절약할 수 있다.

이들 디바이스는 모두 열 저항이 낮고(0.5ºC/W 미만), MSL 1 산업 등급이며, 납/브롬화물/할로겐을 함유하지 않고, RoHS를 준수한다.

IRFH6200TRPbF 스펙

IRFH5250TRPbF 및 IRFH53xxTRPbF 스펙

이들 디바이스의 데이터시트와 애플리케이션 노트는 http://www.irf.com에서 이용할 수 있다.

공급 및 가격

생산 주문은 현재 즉시 가능하다. 가격은 변동될 수 있다.

인터내셔날 렉티파이어(IR, www.irf.com)는?
세계적 전력용 반도체 분야의 선두 주자인 IR(NYSE: IRF)은 고성능 컴퓨팅 작업과 전기를 가장 많이 소모하는 제품군인 모터의 전력 낭비를 줄여주는 디지털, 아날로그 및 혼합 시그널 IC, 고성능 회로 부품, 집적된 전력 시스템과 부품들을 생산, 공급한다. 자동화, 제어, 자동차의 전기시스템, 가전제품, 컴퓨터와 주변장치, 통신장비, 조명장치, 그리고 항공/우주 산업 분야 등 모든 형태의 전기/전자 장비를 생산하는 세계적인 기업들은 차세대 제품을 생산하는데 있어 IR이 벤치마킹한 전력관리 제품에 의존하고 있다. 1947년에 설립된 IR은 미국 로스앤젤레스에 본사를 두고 있으며, 아시아 지역에서는 한국을 비롯해 중국, 홍콩, 대만, 싱가폴, 인도, 호주, 그리고 필리핀등에서 영업을 하고 있다. IR은 전세계 5,500명의 직원이 있으며, 미국, 영국, 멕시코 및 이탈리아에 제조 공장이 있다. 한국지사는 1993년 설립되었으며, 영업, 기술, 고객관리등의 분야에서 활발한 사업을 벌이고 있다.