고주파 DC-DC 스위칭 애플리케이션 용으로 높은 효율 제공하는
IR의 25V DirectFET 칩셋

극히 낮은 전하 및 RDS(on)와 업계에서 가장 낮은 게이트 저항을 특징으로 한
DirectFET 칩셋으로 전도 손실과 스위칭 손실 최소화

(2010년 4월 14일, 서울) 세계적인 전력 관리 기술 회사인 인터내셔날 렉티파이어(IR)(NYSE: IRF)는 서버, 데스크톱, 노트북 등의 12V 입력 동기 벅 애플리케이션 용으로 동급 중 가장 우수한 효율을 제공하는 IRF6706S2PbF 및 IRF6798MPbF DirectFET MOSFET 칩셋을 출시한다고 밝혔다.

IR의 최신 세대 MOSFET 실리콘 기술을 채택한 IRF6706S2PbF 및 IRF6798MPbF 25V 칩셋은 업계에서 가장 앞선 FOM(figures of merit)에 DirectFET 패키지의 뛰어난 스위칭 및 열 특성을 결합함으로써 고주파 DC-DC 스위칭 애플리케이션에 적합한 솔루션을 제공한다.

IR의 엔터프라이즈 전력 사업부의 저전압 DirectFET 제품 경영 이사인 오마르 하센(Omar Hassen)은 "IR은 지속적으로 주요 파라미터를 향상시킴으로써 전력 MOSFET의 성능을 향상시켜 왔다. 새로운 IRF6706S2PbF와 IRF6798MPbF DirectFET 칩셋은 낮은 전하 및 낮은 RDS(on)과 업계에서 가장 낮은 게이트 저항을 특징으로 함으로써 통상적 동기 벅 컨버터의 동기 및 제어 소켓에 관련된 전도 손실 및 스위칭 손실을 최소화한다"고 말했다.

IRF6798MPbF Medium Can DirectFET은 온상태 저항(RDS(on))이 1mΩ 미만이므로 전체적인 부하 범위에 걸쳐서 극히 높은 효율을 가능하게 한다. 이 새로운 디바이스는 모노리딕으로 통합된 쇼트키 다이오드를 특징으로 함으로써 바디 다이오드 전도에 따른 손실과 역 복구 손실을 낮춰 전체적인 솔루션의 성능을 더욱 향상시킨다. IRF6798MPbF 또한 게이트 저항(Rg)이 0.25 mΩ 으로 극히 낮으므로 Cdv/dt 관련 슈트 쓰루(shoot-through)를 제거한다.

IRF6706S2PbF Small Can DirectFET 역시 낮은 전하와 낮은 RDS(on)을 특징으로 하므로 스위칭 손실 및 전도 손실을 낮추고 Rg가 극히 낮아 신속한 스위칭을 가능하게 한다.

스펙

이들 디바이스의 데이터시트와 애플리케이션 노트는 인터내셔날 렉티파이어의 웹사이트 http://www.irf.com 에서 이용할 수 있다.

공급 및 가격
IRF6706S2PbF와 IRF6798MTRPbF는 1만 개 수량일 경우 각기 개당 0.60달러 및 1.50달러부터 시작된다. 현재 즉시 생산 주문이 가능하다. 가격은 변동될 수 있다.

인터내셔날 렉티파이어(IR, www.irf.com)는?
세계적 전력용 반도체 분야의 선두 주자인 IR(NYSE: IRF)은 고성능 컴퓨팅 작업과 전기를 가장 많이 소모하는 제품군인 모터의 전력 낭비를 줄여주는 디지털, 아날로그 및 혼합 시그널 IC, 고성능 회로 부품, 집적된 전력 시스템과 부품들을 생산, 공급한다. 자동화, 제어, 자동차의 전기시스템, 가전제품, 컴퓨터와 주변장치, 통신장비, 조명장치, 그리고 항공/우주 산업 분야 등 모든 형태의 전기/전자 장비를 생산하는 세계적인 기업들은 차세대 제품을 생산하는데 있어 IR이 벤치마킹한 전력관리 제품에 의존하고 있다. 1947년에 설립된 IR은 미국 로스앤젤레스에 본사를 두고 있으며, 아시아 지역에서는 한국을 비롯해 중국, 홍콩, 대만, 싱가폴, 인도, 호주, 그리고 필리핀등에서 영업을 하고 있다. IR은 전세계 5,500명의 직원이 있으며, 미국, 영국, 멕시코 및 이탈리아에 제조 공장이 있다. 한국지사는 1993년 설립되었으며, 영업, 기술, 고객관리등의 분야에서 활발한 사업을 벌이고 있다.