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IR, -30V에서 100V까지의 SOT-23 전력 MOSFET 제품군 출시


(2010년 7월 26일, 서울) 전력관리 기술 분야의 세계적인 선도업체인 인터내셔날 렉티파이어, IR®(NYSE: IRF)이 배터리 충방전 스위치, 시스템 및 부하 스위치, 경부하 모터 드라이브, 통신 장비 등과 같은 애플리케이션에 대해 업계 표준 SOT-23 패키지로 초저 온상태저항(RDS(on)) 특성을 제공하는 HEXFET® 전력 MOSFET 제품군을 출시했다.

신형 SOT-23 MOSFET 디바이스에는 IR의 최신 중전압 실리콘 기술이 적용되었으며, RDS(on) 특성을 최대 90%까지 최소화함으로써 전류 처리 성능을 대폭 향상시켰다. 이로써 해당 애플리케이션에 최적화된 성능과 가격을 고객들에게 제공할 수 있다.

IR의 전력관리 디바이스 사업부 마케팅 엔지니어인 조지 펭(George Feng)은 "신형 SOT-23 MOSFET 제품군은 다양한 수준의 RDS(on) 및 게이트 전하(Qg) 특성으로 -30V에서 100V에 이르는 전체 범위의 전압을 지원함으로써 콤팩트하고 효율적이며 비용 효과적인 솔루션이 필요한 고객들에게 보다 넓은 범위의 향상된 설계 옵션들을 제공한다" 고 말했다.

이 디바이스들은 MSL1(moisture sensitivity level 1) 인증을 획득하였으며, 리드 프리로 제공되고 RoHS를 준수한다.

스펙

Part Number BVDSS Id max @ 25C Typ. / Max
RDS(on) @ 10V
(mΩ)
Typ. / Max
RDS(on) @ 4.5V
(mΩ)
Qg typ.
IRLML9301TRPBF -30V 3.6 A 51 / 64 82 / 103 4.8 nC
IRLML9303TRPBF -30V 2.3 A 135 / 165 220 / 270 2.0 nC
IRLML0030TRPBF 30V 5.2 A 22 / 27 33 / 40 2.6 nC
IRLML2030TRPBF 30V 2.7 A 80 / 100 123 / 154 1.0 nC
IRLML0040TRPBF 40V 3.6 A 44 / 56 62 / 78 2.6 nC
IRLML0060TRPBF 60V 2.7 A 78 / 92 98 / 116 2.5 nC
IRLML2060TRPBF 60V 1.2 A 356 / 460 475 / 620 0.4 nC
IRLML0100TRPBF 100V 1.6 A 178 / 220 190 / 235 2.5 nC

디바이스의 데이터 시트는 인터내셔날 렉티파이어 웹사이트 (http://www.irf.com)에서 제공되고 있다.

공급시기 및 가격
IRLML0060TRPBF의 가격은 10,000개 공급물량 기준으로 개당 0.10달러이다. 지금 즉시 양산 주문이 가능하다. 가격은 변경될 수 있다.

인터내셔날 렉티파이어(IR, www.irf.com)는?
세계적 전력용 반도체 분야의 선두 주자인 IR(NYSE: IRF)은 고성능 컴퓨팅 작업과 전기를 가장 많이 소모하는 제품군인 모터의 전력 낭비를 줄여주는 디지털, 아날로그 및 혼합 시그널 IC, 고성능 회로 부품, 집적된 전력 시스템과 부품들을 생산, 공급한다. 자동화, 제어, 자동차의 전기시스템, 가전제품, 컴퓨터와 주변장치, 통신장비, 조명장치, 그리고 항공/우주 산업 분야 등 모든 형태의 전기/전자 장비를 생산하는 세계적인 기업들은 차세대 제품을 생산하는데 있어 IR이 벤치마킹한 전력관리 제품에 의존하고 있다. 1947년에 설립된 IR은 미국 로스앤젤레스에 본사를 두고 있으며, 아시아 지역에서는 한국을 비롯해 중국, 홍콩, 대만, 싱가폴, 인도, 호주, 그리고 필리핀등에서 영업을 하고 있다. IR은 전세계 5,500명의 직원이 있으며, 미국, 영국, 멕시코 및 이탈리아에 제조 공장이 있다. 한국지사는 1993년 설립되었으며, 영업, 기술, 고객관리등의 분야에서 활발한 사업을 벌이고 있다.

상표 관련 공지
IR®과 HEXFET®은 인터내셔날 렉티파이어 코포레이션의 등록 상표이며, 여기에 언급된 다른 기타 제품명들은 각 소유자들의 상표이다.

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